file:///D:/My web_yzel/algoritmi/chast

начало	мой эмейл vovaluk@mail.ru
Внутристраничные ссылки	Тема	Ссылки на файлы	Страницы на рисунки
1	2	3	4
101, 102, 103, 104.	НМ, HTM, НМД вступит в действие. НТМ мы уже с вами знаем, откроет каналы. НМД укажет НТМ какие каналы необходимо открыть. После этого события разворачиваются внутри клетки. НМД связывается в бислойной мембране с АЛц 91/34, катализирующей образование цАМФ на внутренней стороне мембраны из АТФ. В результате образования электроимпульса MX группируются, связываясь с АЛц в результате чего в MX освобождается Са, который усиливает ЭИП, а АЛц расщепляя АТФ, образует цАМФ. В MX запускаются процессы синтеза белков и окислительно - восстановительные процессы для подготовки и принятию следующего ЭИП. На время действия сигнала мДНК МХ запоминает пришедший сигнал, на время не более 3 секунд. Это С03У– свероперативное запоминающее устройство, в MX всё таки должна быть и мРНК MX, о чём не говорит не один автор. С03У необходима для запуска всех процессов в MX. 7/56нс цАМФ посылает сигналы к различным функциональным подразделениям клетки. Установлено, что при этом цАМФ регулирует активность протеинкиназ - ферментов, которые ускоряют переход фосфорных групп к определенным белковым структурам (ферментам, ПсМ, ПрСМ, белкам ядра клетки) и образуют фосфопротеины. цАМФ постоянно разрушается растворимыми ферментами фосфодиэстеразами. Первый этап на этом заканчивается. -2.-й этап НМД связывается с иРНК ВН, которое во время ПД перераспределяется в начале дендритной зоне сомы, а потом перемещается в зону аксона 40/133н. Связавшись с НМ иРНК начинает принимать информацию от НМ, т. е. НМД дает адрес иРНК НМ. иРНК приняв информацию от НМ, нагружает адресной системой имРНК, после чего сгрупированные MX занимают свои прежние места, при этом сигнал усиливается «+» зарядом Са, освободившегося из MX и отправляется в пузырьки НТМ, НМД, НМ. - 3.- й этап иРНК отправляет сигнал в память ДНК, информация в иРНК сохраняется в течении 12 минут, т. е. ОЗУ. В настоящее время более удобными будут термины компьютерной техники. С03У - сверхоперативное запоминающее устройство-мДНК ОЗУ - оперативное запоминающее устройство-РНК ПЗУ - постоянное запоминающее устройство-ДНК 101 Рис.5 76-3/148 Цитоэоль клетки и тракты НМ 8/28н Повышение концентрации в цитозоле цГМФ приводит к уменьшению содержания Са и соответственно снижению чувствительности,6-3/151н СТ вызывает поступление ионов Са в клетку и одновременно стимулирует их освобождение из МХ. На рис.5 Вы видите схему взаимодействия трактов с рецепторами наружной мембраны – ПсМ. При этом волокна прямых трактов взаимпдействуют с рецептпрами своей стороны, а волокна ответвляющиеся от волокон прямого тракта идут на противоположную сторону (например во 2-ю половину сегмента МО и взаимодействует с рецепторами противоположной стороны, которые являются тормозящими для длнного НМ. Это с правой стороны рисунка, с левой стороны рисунка прямой и перекрещенный тракты идут возбуждакзщие рецепторы, вот так просто решаются вопросы двигательных систем организма. Зв одно с рецепторной системой ПсМ мы с вами рассмотрели и назначение перекрестов в ЦНС, 12/45с Входное сопротивление ПсМ составляет 10- 50 Мом пирамидные клетки КГМ и гиппокаипа кошки и др.) 102 рис.6 103 у МН МС I Мом. 12/50н Повышенной возбудимостью в нейроне обладают "триггерные зоны". В нейроне триггерные зоны распределяются следующим образом: - I. - начальные сегменты дендрита идущего к соме клетки - 2. - начальный сегмент аксона - 3. - область разветвления верхушечной части дендрита аксона или дендритов идущих к соме. Рис. 6 большая площадь дендрита позволяет разместить большое количество синапсов, иногда количество синапсов на дендритах, превышает над количеством синапсов на теле нейрона. 104	1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 21 20 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 №1М0н0и №25М0нУкм	рис.1МС -77 генкод -83 рис2.рнк -87 рис.3.днк -88 рис.4прсм -98 рис.5нм -102 рис.6н -103 рис.7гэб -110 рис.8ХР -111 рис.9мв -120 рис.10упр -130 рис.11МО -131 рис.12рф -137 рис.13сдц -138 рис.14МЦ -142 рис.15нз -220 рис.16мя -224 рис.17дых -232 рис.18ВА -248 рмс.19рец -249 рис.20гд -250
начало	далее	начало